توشيبا تطور مذبذب متحكم بالفلطية منخفض الطاقة بقوة 2.4 جيجا هرتز باستخدام تقنية التحكم الديناميكي بفلطية المنبع

طوكيو - يوم السَّبْت 27 سبتمبر 2014 [ME NewsWire]

"المؤتمر الأوروبي لدارات الحالة الصلبة 2014"

(بزنيس واير): أعلنت اليوم شركة "توشيبا" (المدرجة في بورصة طوكيو تحت الرمز: TOKYO:6502)  بأنها قد طورت مذبذباً للتحكم بالفلطية منخفض الطاقة "في سي أو" للغاية بقوة 2.4 جيجا هرتز للنظم اللاسلكية منخفضة الطاقة، مثل البلوتوث* ذي الطاقة المنخفضة "بي إل إي". ويتم تحقيق العمليات ذات الفلطية المنخفضة ما دون فلطية العتبة الخاصة بالترانزستور عن طريق الجمع بين ميزات مذبذب التحكم بالفلطية من الفئة "دي" وتقنية التحكم الديناميكي بفلطية المنبع. هذا وتم خفض استهلاك الطاقة من قبل مذبذب الفلطية من الخمس إلى العُشر مقارنة بالمذبذبات التقليدية. وقدمت "توشيبا" مذبذب التحكم بالفلطية خلال المؤتمر الأوروبي لدارات الحالات الصلبة، الذي عقد في مدينة البندقية في إيطاليا، في 24 سبتمبر 2014.

هذا وشهدت الآونة الأخيرة اتساع نطاق تطبيقات الاتصالات اللاسلكية ليشمل الرياضة، واللياقة البدنية، والرعاية الصحية، والساعات، وأكثر. ونظراً لأن هذه التطبيقات غالباً ما تفترض وجود عملية طويلة الأمد مع بطاريات ذات قدرة منخفضة، مثل البطاريات الخليوية بشكل أزرار أو حاصدات الطاقة، فإن هناك حاجة إلى دارة متكاملة لاسلكية ذات طاقة منخفضة جداً، الأمر الذي حفّز إجراء البحوث في مجال الدارات المتكاملة اللاسلكية منخفضة الطاقة ووحدات البناء غير المجزأة الفردية.

ومن بين الوحدات غير المجزأة، يشكل الحد من استهلاك الطاقة لمذبذب التحكم بالفلطية تحدياً كبيراً، نظراً لأن أداء الضوضاء المتفوق يعتمد على استهلاك عالٍ للطاقة. لقد تم البحث في العديد من التقنيات لاستهلاك منخفض الضوضاء ومنخفض الطاقة لمذبذب التحكم بالفلطية، وركزت أساساً على الحد من الاستهلاك الحالي. ومع ذلك، للحصول على انخفاض كبير في الطاقة، لا بد من تحقيق انخفاض في مجال الفلطية.

لقد ابتكرت "توشيبا" مذبذباً للتحكم بالفلطية من الفئة "دي" باستخدام تقنية شبه الموصل أكسيد الفلز المكمـِّل أو "سيموس" المتطورة، التي تستخدم الترانزستور كمفاتيح تحويل (وليس كجهاز توصيل تبادلي مثل مذبذبات التحكم بالفلطية التقليدية). وعلى الرغم من أن مذبذبات التحكم بالفلطية من الفئة "دي"  يمكن أن تحقق أداء ضوضاء متفوق عند فلطية منبع منخفضة، يجب على فلطية المنبع أن تكون منخفضة قدر الإمكان للحصول على طاقة منخفضة جداً.

وتم تطوير مذبذب التحكم بالفلطية ذي طاقة منخفضة جداً باستخدام تقنية التحكم الديناميكي بفلطية المنبع التي تستخدم دارة ذات تسرب منخفض كمتحكم ديناميكي بفلطية المنبع. وعند تشغيل مذبذب التحكم بالفلطية، يتم تعزيز فلطية المنبع لضمان بدء تشغيل سريع وموثوق به. وخلال الحالة المستقرة بعد بدء التشغيل، يتم التحكم بفلطية المنبع دون فلطية العتبة، ما يُبقي التذبذب حتى في فلطية المنبع تحت فلطية عتبة الترانزستور، ومن سمات مذبذب التحكم بالفلطية من الفئة "دي" أيضاً هي أن سعة التذبذب هي أعلى بنحو ثلاثة أضعاف من فلطية المنبع. وتؤدي العملية منخفضة الفلطية للغاية إلى استهلاك منخفض للطاقة من قبل مذبذب التحكم بالفلطية.

وتم تصميم الرقاقة التي يبلغ سمكها 28 نانومتر باستخدام تقنية "سيموس" مع فلطية عتبة عالية. وبوسع فلطية العتبة العالية أن تقلل من تيار التسرب في وضعية السكون، غير أنها تزيد استهلاك الطاقة في مذبذبات التحكم بالفلطية التقليدية، نظراً للحاجة إلى فلطية عتبة عالية. ولكن ونظراً لأن مذبذب التحكم بالفلطية المقترح يمكن أن يتذبذب في فلطية أقل من فلطية العتبة، يمكن إذاً الحصول على تذبذب منخفضة الطاقة حتى مع فلطية عتبة عالية. ويتم تحقيق استهلاك طاقة منخفضة جداً يبلغ 171 مايكروواط، إلى جانب أداء ضوضاء المرحلة المطلوب للنظم اللاسلكية منخفضة الطاقة.

يمكن للتحكم الديناميكي بفلطية المنبع أن يحل المفاضلة بين تيار التسرب في وضعية السكون، واستهلاك الطاقة النشطة في الوضعية النشطة. علاوة على ذلك، يمكن الحصول على نظام لاسلكي أكثر كفاءة عند استخدام مذبذب التحكم بالفلطية منخفضة الفلطية هذا مع مصادر الطاقة مثل محول التيار المستمر إلى التيار المستمر وحاصدة الطاقة.

يمكن لمتذبذب التحكم بالفلطية هذا أن يعمل في حالات استهلاك طاقة منخفضة جداً مع تقنية "سيموس" المتطورة. وفي المستقبل، ستقوم "توشيبا" بتطوير الحد من الكهرباء في مجموع النظم اللاسلكية، فضلاً عن وحدات بناء مذبذات التحكم بالفلطية، هادفة بذلك إلى دارة متكاملة منخفضة الطاقة للغاية في السنوات الثلاث المقبلة.

* إن "بلوتوث" هي علامات تجارية مسجلة مملوكة من قبل شركة "بلوتوث إس آي جي"، وأي استخدام لهذه العلامات من قبل شركة "توشيبا" هو بموجب ترخيص.

لمحة عن "توشيبا"

تقوم شركة "توشيبا" المدرجة ضمن قائمة شركات "فورتشن 500 العالمية" بالاستفادة من قدراتها ذات المستوى العالمي في تصنيع منتجاتٍ وأنظمةٍ إلكترونيةٍ وكهربائيةٍ متقدمة تندرج في إطار خمسة مجالات أعمالٍ استراتيجية وهي: الطاقة والبنى التحتية، وحلول المجتمع، وأنظمة وخدمات الرعاية الصحية، والأجهزة والمكونات الإلكترونية، ومنتجات وخدمات أسلوب الحياة. وتقوم "توشيبا" مدفوعةً بمبادئ الالتزام الأساسي لمجموعة "توشيبا" القائمة على "الالتزام تجاه الناس والالتزام بالمستقبل"، بدفع عملياتها العالمية بهدف ضمان "النمو من خلال الإبداع والابتكار" كما أنها تسعى للإسهام في تحقيق عالم يعيش فيه الناس ضمن مجتمع يوفر السلامة والأمن والراحة في كل مكان.

 تأسست "توشيبا" في طوكيو عام 1875 وتدير حالياً شبكة عالمية من أكثر من 590 شركة مدمجة ولديها أكثر من 200 ألف موظف حول العالم وتفوق مبيعاتها السنوية 6.5 تريليون ين ياباني (أي ما يعادل 63 مليار دولار أمريكي).

لمعرفة المزيد من المعلومات عن "توشيبا"، الرجاء زيارة الموقع الإلكتروني التالي: www.toshiba.co.jp/index.htm.

إنّ نصّ اللغة الأصلية لهذا البيان هو النسخة الرسمية المعتمدة. أمّا الترجمة فقد قدِمتْ للمساعدة فقط، ويجب الرجوع لنصّ اللغة الأصلية الذي يمثّل النسخة الوحيدة ذات  التأثير القانوني.

---

Contacts

شركة "توشيبا" لأشباه الموصلات ومنتجات التخزين

مجموعة الاتصالات وعلاقات المستثمرين والترويج

قسم تخطيط الأعمال

ميجومي جنشي/كوتا ياماجي

+81-3-3457-3576 

البريد الالكتروني: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

---

Permalink: http://www.me-newswire.net/ar/news/12230/ar